اثرات تلفات لزجت بر انتقال گرمای جابهجایی اجباری نانوسیال درون یک میکروکانال با حضور میدان مغناطیسی
Authors
Abstract:
در این پژوهش اثرات تلفات لزجت بر انتقال گرمای جابهجایی اجباری لایهای نانوسیال آب- اکسید آلومینیومدرون میکروکانال صفحه موازی با حضور میدان مغناطیسی به صورت عددی مورد بررسی قرار گرفته است. میکروکانال از دو صفحه موازی تشکیلشده است و در ناحیه میانی میکروکانال دیوارها تحت شار گرمایی و میدان مغناطیسی یکنواخت میباشند. معادلات بقاء جرم، مومنتوم و انرژی در حالت دو بعدی به روش تفاضل محدود مبتنی بر حجم کنترل جبری شده و به کمک الگوریتم سیمپل حل میشوند. اثر پارامترهایی همچون عدد رینولدز، درصد حجمی نانوذرات، عدد برینکمن و عدد هارتمن بر روی عدد ناسلت، خطوط جریان و همدما بررسیشده است. نتایج نشان میدهد با افزایش عدد برینکمن دمای سیال نزدیک دیواره افزایشیافته و آهنگ انتقال گرما از دیوار کاهش مییابد. با افزایش درصد حجمی نانوذرات با وجود تلفات لزجت، باعث کاهش انتقال گرما از دیوار به سیال میشود و میزان عدد ناسلت کاهش مییابد. همچنین با افزایش عدد هارتمن باوجود تلفات لزجت، سرعت سیال کاهش یافته و به دنبال آن زمان برای نفوذ انتقال گرما از دیوار افزایش یافته و دما افزایش مییابد و عدد ناسلت کاهش مییابد.
similar resources
بررسی تغییر جهت میدان مغناطیسی بر انتقال گرمای درون حفره باز مربعی پر شده از نانوسیال آب-مس
در این تحقیق تاثیر تغییر جهت میدان مغناطیسی بر انتقال گرمای جابجایی توأم در یک محفظه مربعی باز پرشده از نانوسیال آب-مس، به روش حجم محدود و توسط الگوریتم SIMPLE در حالت پایا و آرام بررسی شده است. دیواره کف حفره، گرم و سایر دیوارهها عایق هستند. سیال سرد از کانال بالای حفره، وارد شده و از سمت دیگر خارج می شود. در این تحقیق، اثر تغییر کسر حجمی، هارتمن، رینولدز، رایلی و ریچاردسون بر انتقال گرما و ع...
full textکاربرد روش شبکه بولتزمن در شبیهسازی انتقال حرارت جابجایی طبیعی نانوسیال درون یک محفظه متوازیالاضلاع شکل در حضور میدان مغناطیسی
چکیده در کار حاضر، برای اولین بار، جابجایی طبیعی نانوسیال درون محفظه متوازیالاضلاع شکل با دو مانع مثلثی با شرایط مرزی دمایی متفاوت در حضور میدان مغناطیسی با روش شبکه بولتزمن شبیهسازی شده است. در شبیهسازی صورت گرفته میدان سرعت و دما با حل همزمان معادلات روش شبکه بولتزمن برای توابع توزیع سرعت و دما محاسبه شده است. تأثیر عوامل مختلفی چون عدد رایلی (۱۰۳-۱۰۵)، عدد هارتمن (۰-۹۰)، کسر حجمی ن...
full textاثر تغییر موقعیت دیواره گرم و افزایش دامنه و تعداد نوسان دیواره موج دار بر انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال درون کانال در حضور میدان مغناطیسی
چکیده در مقاله حاضر، اثر تغییر موقعیت منبع حرارتی بر انتقال حرارت نانوسیال تحت تأثیر میدان مغناطیسی درون کانال موجدار با دامنه و تعداد نوسان متغیر، به روش شبکه بولتزمن بررسی شده است. میدان مغناطیسی یکنواخت، عمود بر کانال اعمال شده است. نیمه ابتدایی دیواره بالایی کانال، موجی شکل با دامنه و تعداد نوسان متغیر در دمای ثابت سرد و نیمی از دیواره پایینی کانال با موقعیت متغیر، در دمای ثابت گرم قرار دا...
full textبررسی عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت اجباری نانوسیال در یک کانال سینوسی شکل
در این مقاله انتقال حرارت جابجایی در یک کانال سینوسی شکل حاوی نانوسیال تحت میدان مغناطیسی بررسی شده است. میدان مغناطیسی عمود بر کانال اعمال شده است. آب به عنوان سیال پایه در نظر گرفته شده است و نانو ذره مس به آن افزوده می شود. از مدل ماکسول-گرانت برای ضریب رسانش حرارتی و مدل برینکمن برای ویسکوزیته دینامیکی استفاده می شود. تغییر پارامترهایی نظیر اثر شکل هندسی ، درصد حجمی نانوسیال ،عدد بی بعد هار...
full textبررسی تاثیر زاویه نیروی مغناطیسی بر انتقال حرارت درون یک محفظه پرشده از نانوسیال
This article has no abstract.
full textبررسی تأثیر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی ترکیبی نانوسیال درون محفظه K شکل با استفاده از روش شبکه بولتزمن
در کار حاضر، برای اولین بار، انتقال حرارت جابجایی ترکیبی نانوسیال درون محفظه K شکل در حضور میدان مغناطیسی با استفاده از روش شبکه بولتزمن شبیهسازی شده است. دیوارههای سمت راست و چپ محفظه در دمای ثابت سرد قرار دارند. دیواره افقی پایینی محفظه در دمای ثابت گرم است. دما روی دیواره افقی بالایی محفظه بصورت خطی تغییر می کند. در شبیهسازی صورت گرفته میدان جریان و دما با حل همزمان توابع توزیع جریان و دم...
full textMy Resources
Journal title
volume 49 issue 1
pages 83- 92
publication date 2019-03-21
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023